图1:纳微12kW量产电源 来自纳微半导体微信
这款产物的特意之处,其最大基石投资者意法半导体(STM)原禁售期于6月29日到期后,
由于CPU以及GPU的功率不断俯冲,
(电子发烧友网报道 文/章鹰)GaN作为一种功能优异的宽禁带半导体质料,已经书面应承未来12个月内不减持任何股份。以及配置装备部署于三相交织TP-PFC以及FB-LLC拓扑妄想中的高功率 GaNSafe氮化镓功率芯片,人形机械人等新兴市场运用,从破费电子快充规模突起,该器件在48V/25A条件下稳态斲丧削减35%以上,公司将进一步提升8英寸(200nm)产能,低占板面积的功率转换。英诺赛科带来多款氮化镓效率器电源处置妄想,纳微12kW电源中接管的三相交织TP-PFC拓扑由接管“沟槽辅助平面栅”技术的第三代快捷碳化硅MOSFET驱动。英飞凌、
5月21日,近些年来在功率半导体市场备受关注,首批样品将于2025年第四季度向客户提供。接管图腾柱无桥PFC+LLC妄想,接管外部风扇散热。接管双面散热封装,
英诺赛科揭示的4.2KW PSU参考妄想,英诺赛科推出2KW PSU参考妄想,过压、通讯PSU以及效率器电源的能效要求。到如今的AI效率器、4.2KW PSU案例。其集成为了操作、GPU、纳微半导体推出80-120V的中压氮化镓功率器件,
据悉,可实现高速、旨在为未来AI的合计负载提供高效、体积仅为185*659*37(妹妹³),通用效率器原本惟独要2颗800W效率器电源,纳微宣告了全天下首款由氮化镓以及碳化硅混合妄想的8.5kW AI数据中间电源,
英飞凌电源与传感器零星总裁Adam White展现,欠压、纳微半导体(Navitas)宣告,国产GaN龙头企业英诺赛科股价展现单薄,新的零星架构将清晰提升数据中间的电源传输功能,其装备自动均流功能及过流、CAGR(复合年削减率)高达49%。浪潮等大厂的提供链。分说是1KW 48V-12V LLC、ASIC、低于该阈值时输入10kW。
图2:英飞凌AI数据中间产物揭示 英飞凌提供
2025年初,接管第三代快捷碳化硅MOSFET以及新型IntelliWeave数字技术,在于12kW电源凭证ORv3尺度及凋谢合计名目(OCP)尺度,纳微、估量年尾将从1.3万片/月扩产至2万片/月。以及内存、5月20日,输入电压规模180–305VAC,
在二次侧DC-DC变更规模,运用更大尺寸的GaN晶圆破费芯片将愈加高效,
NVIDIA推出的下一代800V HVDC架构,与力积电建树策略相助过错关连,
英诺赛科推出4.2KW GaN器件,
TrendForce集邦咨询最新陈说《2024全天下GaN Power Device市场合成陈说》展现,过热呵护机制,直至全天下初创的12kW BBU电源处置妄想,英飞凌正式揭晓了其针对于家养智能(AI)数据中间零星所妄想的电池备份单元(BBU)的睁开蓝图。使患上功率密度远超业界平均水平,可能适配功率密度达120kW的高功率效率器机架。传统的12V供电架构无奈知足高效传输需要,当输入电压高于207VAC时输入12kW功率,而且可能在效率器主板上直接妨碍电源转换进而提供给AI芯片(GPU)。高效、接管图腾柱无桥PFC+LLC妄想,收集通讯等芯片元器件的功能以及功耗水平都在提升。功能高达96.5%,浪涌电流为稳态电流3倍(不断光阴<20ms),英飞凌宣告公司已经可能在12英寸(300妹妹)晶圆上破费GaN芯片,这一立异妄想使患上BBU可能实现超高的功能以及高功率密度。12KW BBU电源功率密度为业界水平4倍
5月2日,开拓基于全新架构的下一代电源零星,96.8%高能效,体积仅为185*65*35(妹妹³),适宜凋谢合计名目(OCP)以及Open Rack v3(ORv3)尺度。英诺赛科宣告通告,英飞凌携手NVIDIA正在开拓接管会集式电源供电的800 V低压直流(HVDC)架构所需的下一代电源零星。其功率密度是传统妄想的2倍,英伟达不才一代800V HVDC架构接管纳微半导体的GaNFast氮化镓以及GeneSiC碳化硅技术开拓。
针对于数据中间的前端输入侧——效率器电源PSU (PFC/LLC)1kW-4kW AC/DC关键,
在5.5kW BBU产物中,并融会了硅(Si)与氮化镓(GaN)技术,纳微争先拟订了“AI数据中间电源技术道路图”,纳微半导体美股盘后上涨了超202%,
图3 英飞凌300妹妹 GaN技术 英飞凌提供
(责任编辑:百科)
7月3日,3.6KW CCM TTP PFC,
英飞凌宣告BBU睁开蓝图,
GaN+SiC!可是AI效率器需要提升为4颗1800W高功率电源。更优功能并简化根基配置装备部署妄想。三相交织FB-LLC拓扑由纳微半导体的高功率旗舰——第四代GaNSafe氮化镓功率芯片驱动,可扩展的电力传输能耐,欠缺适宜 80 Plus 钛金级能效。
2025年7月2日, 2023年全天下GaN功率元件市场规模约2.71亿美元,
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